Otsa pealt: IBM kahekordistas transistori tihedust vertikaalse virnastapliga 0,7 nanomeetril ja eeldab seega kuni 70 protsendi energiasäästuga — seeriatootmine ligikaudu viie aasta pärast.
IBM on Albanysse jäävast poolledjuhi uurimiskeskusest välja arendanud uue transistori tehnoloogia sub-1-nanomeetri vahemikus, mis võimaldab sõrme küünele mahutada ligi 100 miljardit transistori. Innovatsioon kahekordistab transistori tihedust võrreldes IBMi 2-nanomeetri kiibidega 2021. aastast.
Uus tehnoloogia töötab 0,7 nanomeetri (7 angströmi) struktuuri suurusega ja põhineb transistori arhitektuuril Nanostack. See kolmemõõtmeline konstruktsioon virnastavad transistoreid vertikaalselt üksteise peale ja nihutatult, et ära kasutada ruumi silikaardil tõhusalt. Nanolehtede baasil tehtud ehitus kujutab üleminek klassikalise horisontaalse disainiga kolmemõõtmeliselt virnastatuks.
Tehnilised aruanded prognoosivad Nanostack-arhitektuuris arvutuslike jõudluse tõstmist kuni 50 protsendiga või energiavajaduse vähenemist kuni 70 protsendiga võrreldes 2-nanomeetri põlvkonnaga. VLSI 2026 konverentsil tehtud mõõtmised näitasid ka staatilist RAM-mälu skaleerimist 40 protsendiga. See muudab tehnoloogia eriti oluliseks üldkasutatavate keelemudelite infrastruktuuris ja pilveandmekeskustes.
Edasiarendamiseks kasutab IBM Albanysse jäävast asukohast äärmuselt ultravioletset litograafia установку kõrge numbrilise avaga ASMLilt. Töövahendite arendamisel koostöötab ettevõte Lam Researchiga, Tokyo Electroniga ja Screen Semiconductor Solutionsiga. IBM arvab, et Nanostack-tehnoloogia muutub tootmiseks valmis viie aasta jooksul. Täiendavalt asutab IBM eraldi äriüksuse Anderson, et spetsiaalselt quantum-valamistehasena toetada kvantumvaaride tootmist.
Allikas: www.it-daily.net · Avaldatud 26. juuni 2026
Lumi AI News — AI-abil kurateeritud vastavalt EU AI Act artiklis 50. Parafraseerig ja klassifikatsioon Lumi News Pipeline v1.7.1 poolt.